سیلیسایدها توسط لایه نشانی فلز بر روی نیمرسانای سیلسیم و پخت آن بوجود می آیند. سیلیسایدها هواص فلزی دارند و در تماس با نیمرسانا اتصال شاتکی می سازند. چنانچه دیود شاتکی به این روش ساخته شود ایده آل خواهد بود. از آنجا که دیود شاتکی ptsi/si مزایای متعددی دارد این دیود شاتکی مورد مطالعه نظری و تجربی قرار گرفته است . چگونگی تشکیل لایه ptsi و محاسبه ارتفاع سد دیود شاتکی ptsi/si هدف این پروژه می باشد....

با توجه به پیشرفتهای روزافزون تکنولوژی نیمه هادیها و مدارهای تجمعی اهمیت اتصالات فلز - نیمه هادی روز به روز بیشتر می شود. با توجه به سابقه طوللانی تحقیق در زمینه پیوندهای فلز - نیمه هادی، مطالعات زیادی در دهه اخیر صورت گرفته است که نشاندهنده اهمیت کاربردی آنها در تکنولوژی جدید قطعات نیمه هادی می باشد. در این پروژه سعی شده تمام نظریه های اصلی، در مورد پیوندهای فلز - نیمه هادی با توجه به روند تار...

استفاده از افزاره های الکترونیکی بر پایه نیمرساناهای گاف پهن بدلیل قابلیت های بالای آن به عنوان سنسور گازی با استقبال مواجه شده است. استفاده از این افزاره ها به عنوان سنسور گازی نسبت به سایر سنسورها دارای مزایایی چون: آشکارسازی گازها در غلظت بسیار پایین، قابلیت کارکردن در دماهای بالا و پاسخ دهی سریع تر می باشد. در این پایان نامه عملکرد سنسورهای هیدروژن فلز-نیمرسانا-فلز (msm) و فلز-عایق-نیمرسانا...

در این پژوهش، از یک مدل مونت کارلو دو دره ای برای شبیه سازی اتصال شاتکی استفاده شده است. در مدل ارائه شده، پراکندگی های ناخالصی و فونونی درنظر گرفته شده اند و یونیزاسیون برخوردی در ماتریس پراکندگی قرار گرفته است. باندهای انرژی غیرسهموی فرض شده اند و سازوکارهای تونل زنی و گسیل گرمایونی مولفه های جریانی هستند. با اضافه کردن یک لایه نازک غیر هم نوع با نیم رسانا نشان داده شده است که شکل گیری یک مید...

در این پایان نامه روش تحلیل و ساخت نوسان ساز rsg-mosfet مبتنی بر فناوری mos ارائه شده است. گیت در این ترانزیستور به صورت معلق روی کانال قرار دارد، و دو طرف آن مقید شده است. هدف نهایی از طراحی این افزاره، مجتمع کردن همه اجزا مورد نیاز مدار مجتمع، بر روی تراشه ای واحد است. ضریب کیفیت نوسان ساز rsg-mosfet در مقایسه با مدار lc، به مراتب بیشتر است. بنابراین نوسان ساز rsg-mosfet، را می توان به عنوان ...

پس از ساخت قطعه توسط دستگاه لایه نشانی الکترون بیم گان به بررسی خواص الکتریکی dc پیوند نانو ساختار بروموآلومینیوم فتالوسیانین با الکترودهای مس در دماهای مختلف پرداخته ایم. با رسم نمودار رسانندگی برحسب ولتاژ و مقایسه¬ی ضرایب کاهندگی ریچاردسون شاتکی و پل فرنکل با مقدار تئوری آن برای دو ناحیه¬ی ایجاد شده در نمودار مشخص شد که نوع اتصال فلز- نیمه رسانا شاتکی بوده که با افزایش دما رسانندگی افزایش می¬...

ترانزیستورهای مدرن به رغم عملکرد ساده¬¬شان، یکی از مهمترین دستگاه¬های پیچیده¬ی ایجاد شده توسط بشر هستند. سالانه میلیون¬ها ترانزیستور ساخته شده در جهان نقش مهمی در رایانه، تلفن همراه، رله قدرت و انواع دیگر دستگاه¬های الکترونیکی بازی می¬کنند. ماسفت به¬عنوان پایه¬ی مدارات مجتمع امروزی و همچنین پایه¬ی بسیاری از سنسورهای دقیق می¬باشد. جهت¬گیری تکنولوژی همواره به کوچک¬سازی این قطعه ¬انجامیده است. اخ...

گرافین، با ویژگی هایی همچون: گاف انرژی صفر ، تحرک بالای الکترونی، رسانایی خوب الکتریکی، شفافیت، انعطاف و استحکام زیاد، نوید بخش سلول های خورشیدی هست که بهبود بازده و کاهش هزینه های تولید را به همراه دارند. برای استفاده از گرافین به عنوان کنتاکت و در عین حال لایه ی فعال، یعنی ایجاد پیوند شاتکی، نیاز به افزایش سد شاتکی، کاهش مقاومت و افزایش شفافیت گرافین است که با 5 لایه ی گرافین دوپ شده با tfsa،...

سلول های خورشیدی حساس به رنگ ، از گروه سلول های خورشیدی لایه نازک هستند که تا کنون به مرحله ی تجاری شدن رسیده اند. اما علی رغم داشتن پتانسیل بالا هنوز دارای بازده پایین تر نسبت به سلول های خورشیدی سیلیکونی هستند. بررسی عوامل موثر بر ترابرد بار در سلول های خورشیدی از جمله عواملی هستند که برای بهینه سازی و رسیدن به بازده بالاتر بسیار مهم است. در این پایان نامه با استفاده از حل عددی معادلات پیوستگ...